SAMSUNG MZ-VAP1T0 SSD 1000GB M.2 14700MB/s PCI Express 5.0 NVMe

Descrição do Produto

SAMSUNG MZ-VAP1T0 SSD 1000GB M.2 14700MB/s PCI Express 5.0 NVMe

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SA5532

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Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos

Especificaciones

Empaquetado

Tipo de embalaje	Caja
Características

Interfaz	PCI Express 5.0
Algoritmos de seguridad soportados	256-bit AES
Tiempo medio entre fallos	1500000 h
Tipo de memoria	V-NAND TLC
Velocidad de lectura	14700 MB/s
Velocidad de escritura	13300 MB/s
SDD, capacidad	1 TB
Soporte S.M.A.R.T.	Si
Soporte TRIM	Si
Escritura aleatoria (4KB)	2600000 IOPS
Lectura aleatoria (4KB)	1850000 IOPS
Componente para	PC/Consola de videojuegos
Encriptación de hardware	Si
Factor de forma de disco SSD	M.2
NVMe	Si
Versión NVMe	2.0

Características

Tamaño de la unidad SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Función DevSleep	Si
Carriles datos de interfaz PCI Express	x4
Peso y dimensiones

Peso	30 g
Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa	0 - 70 °C
Peso y dimensiones

Altura	80,2 mm
Condiciones ambientales

Golpes en funcionamiento	1500 G
Peso y dimensiones

Ancho	80,2 mm
Profundidad	8,88 mm
Control de energía

Voltaje de operación	3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)	7,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)	7,2 W
Consumo de energía (escritura)	7,2 W
Consumo de energía (lectura)	7,6 W
Consumo de energía (espera)	0,004 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)	3,3 mW
Otras características

Periodo de garantía	5 año(s)